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來(lái)源：http://www.sedorisc.com 作者：康華爾電子 2019年11月04
關(guān)于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術(shù)知識(shí)問答
對(duì)于Silicon晶振這個(gè)品牌,有部分用戶比較熟悉,因?yàn)镾ilicon Laboratories.公司在世界范圍內(nèi),70多個(gè)國(guó)家里都有使用他們家MEMS振蕩器產(chǎn)品的廠家,Silicon公司是美國(guó)時(shí)序產(chǎn)品的制造商,在頻率元件方面做得非常好,在行業(yè)里排名前10位.Silicon的振蕩器產(chǎn)品主要是MEMS可編程系列的,而且尺寸可以做到非常小,目前Silicon振蕩器的尺寸主要有7050mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm等封裝.
501ACA10M0000DAG是Si501晶振系列的一條原廠編碼,這個(gè)系列的尺寸是3.2*2.5mm,在MEMS振蕩器里算是比較小的一種體積.主要用于無(wú)線通信,5G基站,航空航天設(shè)備,探測(cè)器,程控交換機(jī),千兆光纖網(wǎng)絡(luò)等高端的產(chǎn)品.擁有低衰減,低電平,低抖動(dòng),低電壓,低相控等優(yōu)良的性能.下面表格是501ACA10M0000DAG及其他Silicon貼片晶振產(chǎn)品的編碼,和一些相關(guān)的技術(shù)知識(shí),將通過問答的形式讓用戶更加了解.
問一:Si50x:Si501/2/3/4–與XO相比,CMEMS較不易受振動(dòng)的影響
典型的25MHz石英晶體的質(zhì)量約為1.70mg.CMEMS諧振器的質(zhì)量為27.8ng.CMEMS諧振器的質(zhì)量約為石英晶體的0.000016(?1/61,000).石英晶體物理上安裝在2個(gè)墊板上,如“潛水板”,并且在遭受沖擊或振動(dòng)時(shí)會(huì)基本移動(dòng),從而損害了將晶體附著到其安裝點(diǎn)的環(huán)氧樹脂.CMEMS諧振器牢固地固定在所有四個(gè)角以及中心支架上.鑒于CMEMS諧振器的質(zhì)量要低得多,并且要保持更大的牢度和安全性,因此CMEMS諧振器可以比石英諧振器承受更多的振動(dòng)和G沖擊力.
問二:Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是什么?
Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是從32.000KHz持續(xù)至100.000MHz.
問三:Si50x:Si501/2/3/4–老化和頻率穩(wěn)定性
Si501/2/3/4的加速老化測(cè)試顯示出非常小的頻率偏差,在±2ppm之內(nèi)(+2.1ppm,-1.9ppm).下圖顯示了在125°C老化1000小時(shí)后的設(shè)備頻率輸出誤差.
問四:Si50x:Si501/2/3/4上的RMS相位抖動(dòng)
Si501/2/3/4有源晶振設(shè)計(jì)用于低周期和周期抖動(dòng)比低頻相位噪聲更為重要的應(yīng)用.許多消費(fèi),工業(yè)和嵌入式應(yīng)用都不關(guān)心“近距離”相位噪聲.通常,只有極低抖動(dòng)的通信應(yīng)用程序才關(guān)注較低頻率的“近距離”抖動(dòng).選擇900KHz至7.5MHz的頻帶是為了給與高頻相位噪聲有關(guān)的應(yīng)用(例如SATA等點(diǎn)對(duì)點(diǎn)存儲(chǔ)協(xié)議)提供典型的均方根相位抖動(dòng).Si501/2/3/4專門針對(duì)周期抖動(dòng)是主要抖動(dòng)問題的成千上萬(wàn)種低成本和低功耗通用應(yīng)用,并且非常適合這些應(yīng)用.
問五:Si501/2/3/4的推薦焊料回流曲線是什么?
Si501/2/3/4的推薦回流焊曲線應(yīng)遵循IPC/JEDECJ-STD-020D.注意:在實(shí)驗(yàn)室使用時(shí),只要不使用過多熱量,就可以將SI501/2/3/4手工焊接到PCB上.
問六:Si50x現(xiàn)場(chǎng)編程器可以重新編程以前已編程好的設(shè)備嗎?
Si可以將Si501/2/3/4設(shè)備使用一次性替換(OTP)配置內(nèi)存.Si50x設(shè)備被編程好之后,不可以更改或重新編程以前已編程的信息.
問七:如果器件在正常的-40C至+85C溫度范圍之外工作,則頻率穩(wěn)定度(ppm)可能會(huì)發(fā)生什么?
在超出數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定工作范圍的溫度下,無(wú)法保證器件規(guī)格(例如,Si501/2/3/4的初始精度和總穩(wěn)定性).話雖如此,設(shè)備參數(shù),如頻率穩(wěn)定性,不應(yīng)突然改變,而應(yīng)隨溫度平穩(wěn)地偏離.同樣,我們不保證超出數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的限制工作,建議始終使器件保持在工作限制內(nèi).
關(guān)于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術(shù)知識(shí)問答
對(duì)于Silicon晶振這個(gè)品牌,有部分用戶比較熟悉,因?yàn)镾ilicon Laboratories.公司在世界范圍內(nèi),70多個(gè)國(guó)家里都有使用他們家MEMS振蕩器產(chǎn)品的廠家,Silicon公司是美國(guó)時(shí)序產(chǎn)品的制造商,在頻率元件方面做得非常好,在行業(yè)里排名前10位.Silicon的振蕩器產(chǎn)品主要是MEMS可編程系列的,而且尺寸可以做到非常小,目前Silicon振蕩器的尺寸主要有7050mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm等封裝.
| 501ACA10M0000DAGR | Si501晶振 | 10MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA10M0000BAFR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA10M0000BAGR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA10M0000CAFR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA10M0000CAGR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA10M0000DAFR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA10M0000DAGR | Si501晶振 | 10MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501HCA12M0000BAFR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501HCA12M0000BAGR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501HCA12M0000CAFR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501HCA12M0000CAGR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501HCA12M0000DAFR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501HCA12M0000DAGR | Si501晶振 | 12MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BCA16M0000BAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BCA16M0000BAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BCA16M0000CAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BCA16M0000CAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BCA16M0000DAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BCA16M0000DAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BAA16M0000BAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BAA16M0000BAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501BAA16M0000CAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BAA16M0000CAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501BAA16M0000DAFR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501BAA16M0000DAGR | Si501晶振 | 16MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA20M0000BAFR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA20M0000BAGR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA20M0000CAFR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA20M0000CAGR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA20M0000DAFR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA20M0000DAGR | Si501晶振 | 20MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501AAA24M0000BAFR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501AAA24M0000BAGR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501AAA24M0000CAFR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501AAA24M0000CAGR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501AAA24M0000DAFR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501AAA24M0000DAGR | Si501晶振 | 24MHz | 1.7V~3.6V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JAA24M0000BAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JAA24M0000BAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JAA24M0000CAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JAA24M0000CAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JAA24M0000DAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JAA24M0000DAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA24M0000BAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA24M0000BAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (4.00mmx3.20mm) |
| 501JCA24M0000CAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA24M0000CAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (3.20mmx2.50mm) |
| 501JCA24M0000DAFR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
| 501JCA24M0000DAGR | Si501晶振 | 24MHz | 3.3V | (2.50mmx2.00mm) |
典型的25MHz石英晶體的質(zhì)量約為1.70mg.CMEMS諧振器的質(zhì)量為27.8ng.CMEMS諧振器的質(zhì)量約為石英晶體的0.000016(?1/61,000).石英晶體物理上安裝在2個(gè)墊板上,如“潛水板”,并且在遭受沖擊或振動(dòng)時(shí)會(huì)基本移動(dòng),從而損害了將晶體附著到其安裝點(diǎn)的環(huán)氧樹脂.CMEMS諧振器牢固地固定在所有四個(gè)角以及中心支架上.鑒于CMEMS諧振器的質(zhì)量要低得多,并且要保持更大的牢度和安全性,因此CMEMS諧振器可以比石英諧振器承受更多的振動(dòng)和G沖擊力.
問二:Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是什么?
Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是從32.000KHz持續(xù)至100.000MHz.
問三:Si50x:Si501/2/3/4–老化和頻率穩(wěn)定性
Si501/2/3/4的加速老化測(cè)試顯示出非常小的頻率偏差,在±2ppm之內(nèi)(+2.1ppm,-1.9ppm).下圖顯示了在125°C老化1000小時(shí)后的設(shè)備頻率輸出誤差.
問四:Si50x:Si501/2/3/4上的RMS相位抖動(dòng)
Si501/2/3/4有源晶振設(shè)計(jì)用于低周期和周期抖動(dòng)比低頻相位噪聲更為重要的應(yīng)用.許多消費(fèi),工業(yè)和嵌入式應(yīng)用都不關(guān)心“近距離”相位噪聲.通常,只有極低抖動(dòng)的通信應(yīng)用程序才關(guān)注較低頻率的“近距離”抖動(dòng).選擇900KHz至7.5MHz的頻帶是為了給與高頻相位噪聲有關(guān)的應(yīng)用(例如SATA等點(diǎn)對(duì)點(diǎn)存儲(chǔ)協(xié)議)提供典型的均方根相位抖動(dòng).Si501/2/3/4專門針對(duì)周期抖動(dòng)是主要抖動(dòng)問題的成千上萬(wàn)種低成本和低功耗通用應(yīng)用,并且非常適合這些應(yīng)用.
問五:Si501/2/3/4的推薦焊料回流曲線是什么?
Si501/2/3/4的推薦回流焊曲線應(yīng)遵循IPC/JEDECJ-STD-020D.注意:在實(shí)驗(yàn)室使用時(shí),只要不使用過多熱量,就可以將SI501/2/3/4手工焊接到PCB上.
問六:Si50x現(xiàn)場(chǎng)編程器可以重新編程以前已編程好的設(shè)備嗎?
Si可以將Si501/2/3/4設(shè)備使用一次性替換(OTP)配置內(nèi)存.Si50x設(shè)備被編程好之后,不可以更改或重新編程以前已編程的信息.
問七:如果器件在正常的-40C至+85C溫度范圍之外工作,則頻率穩(wěn)定度(ppm)可能會(huì)發(fā)生什么?
在超出數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定工作范圍的溫度下,無(wú)法保證器件規(guī)格(例如,Si501/2/3/4的初始精度和總穩(wěn)定性).話雖如此,設(shè)備參數(shù),如頻率穩(wěn)定性,不應(yīng)突然改變,而應(yīng)隨溫度平穩(wěn)地偏離.同樣,我們不保證超出數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的限制工作,建議始終使器件保持在工作限制內(nèi).
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