在這個快速變化的時代里,高科技推進技術的進步,同時也帶來生活,娛樂,日用方便的便攜,隨處可見的機會,但并不是人人都能夠抓住,亞陶公司優秀的技術人員能夠在市場上,找到適合的機遇,并且結合自身的優勢,開發出增強型,適用于各個領域高質量的SPXO有源晶振,加速豐富自身的產品線,在品質方面也達到無懈可擊,無人可及的高標準和高要求。亞陶開發出溫度穩定性能極好的TCXO振蕩器WT3253F0026.000000,用于網絡系統,ECERA晶振

WT3251I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325BI0032.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	32MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325BI0032.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	32MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325BI0032.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	32MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3253I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3253I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3253I0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CF0019.200000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	19.2MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0019.200000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	19.2MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0019.200000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	19.2MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3253F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3253F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3253F0026.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	26MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT325CF0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3251F0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3251F0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C
WT3251F0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±500ppb	-30°C ~ 85°C

Diodes公司（納斯達克股票代碼：DIOD）宣布推出高精度晶振，以及五款具有集成高側和低側MOSFET的同步降壓轉換器，提供具有3.5A或 5A 連續輸出電流的負載點 (PoL) 解決方案。這些器件采用專有柵極驅動器技術，可為消費類、工業、網絡和汽車應用在降壓DC-DC轉換中提供卓越的EMI 性能。

WT3251I0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3251I0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT3251I0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.367667	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.367667MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.368000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.368MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C
WT325CI0016.369000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ WT	16.369MHz	±2ppm	-30°C ~ 85°C

AP64350 、AP64351和AP64352的靜態電流 (Iq) 為 22μA，而AP64500和AP64501的 Iq僅為25μA。亞陶晶振推出所有器件均具有低RDS(ON) 并在 3.8V 和40V之間的電源電壓下工作，并提供低壓差 (LDO) 模式。除了優化的柵極驅??動器設計外，這些部件還采用擴頻拓撲結構來進一步降低 EMI。

此外，AP64351和AP64501實現了可編程軟啟動，可以減輕浪涌電流和跟蹤的影響，從而更有效地實施電源排序。
開關頻率可在100kHz和2.2MHz之間調節。這種可調頻率允許工程師根據效率、外部組件的尺寸或射頻與其他系統級功能的兼容性，為其應用選擇最合適的配置。亞陶開發出溫度穩定性能極好的TCXO振蕩器WT3253F0026.000000,用于網絡系統,ECERA晶振

FNETHE025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNETHE025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNETHE025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
FNSURV027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	27MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C
FNSURV027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	27MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C
FNSURV027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	27MHz	±30ppm	-20°C ~ 70°C
FNGEPO002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	2.048MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNGEPO002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	2.048MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNGEPO002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	2.048MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
FKSSD1025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	25MHz	±25ppm	-10°C ~ 70°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
UJWIFI026	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	26MHz	±20ppm	-30°C ~ 85°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FNEPON125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
FK1330001Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FK	13.3333MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C

AP64350、AP64351、AP64352、AP64500和AP64501采用SO-8EP封裝。