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歐美晶振
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- 編號：62102129
- 頻率：13~52MHz
- 尺寸：2.0*1.6*0.8mm
ILSI晶振,I589晶振,TCXO晶振
2016mm體積的溫補(bǔ)晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC...
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ILSI晶振,I589晶振,TCXO晶振.貼片石英晶振,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù).
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù).
ILSI America成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI供應(yīng)商.頻率控制產(chǎn)品.通過有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購,美國ILSI晶振現(xiàn)在是廣泛設(shè)計,制造和供應(yīng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者,涵蓋四個品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國晶振ILSI滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn).通過以下產(chǎn)品在許多垂直市場的客戶:石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.
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| 型號 | 符號 | I589 |
| 輸出方式 | - | Clipped Sine wave |
| 輸出頻率范圍 | fo | 13~52MHz |
| 電源電壓 | VCC | +1.8V~+3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±2.0ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40℃~+85℃ |
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use |
0℃~+70℃ -20℃~+70℃ -30℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機(jī)時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 10pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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輸出負(fù)載
建議將輸負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個智能穿戴晶振產(chǎn)品進(jìn)行試驗所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗.若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
對我們的有源晶振產(chǎn)品進(jìn)行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
ILSI集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.
ILSI晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng).
ILSI晶振集團(tuán)將確保其進(jìn)口低電壓振蕩器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.公司的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平.ILSI晶振集團(tuán)實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).
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