經(jīng)過一百多年的發(fā)展石英晶振已經(jīng)成為電子，數(shù)碼，智能，軍工和商業(yè)產(chǎn)品的最重要的電子元器件，所以多年來國外科學(xué)家一直在研發(fā)相關(guān)的技術(shù)，離子刻蝕頻率微調(diào)是海外晶振廠家，常用于石英晶體的一種加工技術(shù)。聽到這個名字很多人就看不懂了，所以接下來看看CEOB2B晶振平臺用1分鐘時間，帶你簡單了解一下什么是晶振離子刻蝕頻率微調(diào)以及方法。

圖4-1是基于離子刻蝕技術(shù)的頻率微調(diào)示意圖[3],晶振離子刻蝕頻率微調(diào)方法,當(dāng)照射面積小于 2~3mm2,在beam電壓低于100V以下就可獲得接近10mA/cm2的高電流密度的離子束,離子束的刻蝕速度在寬范圍內(nèi)可進(jìn)行調(diào)節(jié)。圖中采用的是小型熱陰極PIG型離子槍,放電氣體使用Ar,流量很小只需035cc/min。在:圓筒狀的陽極周圍安裝永久磁石,使得在軸方向加上了磁場這樣的磁控管就變成了離子透鏡[17], 可以對離子束進(jìn)行聚焦。熱陰極磁控管放電后得到的高密度等離子,在遮蔽鉬片和加速鉬片之間加高達(dá)1200V高壓后被引出。并且可以通過對熱陰極的控制調(diào)整等離子的速度。

用離子束照射貼片晶振的電極膜,通過濺射刻蝕使得頻率上升米進(jìn)行頻率微調(diào)。在調(diào)整時,通過π回路使用網(wǎng)絡(luò)分析儀對石英晶振的頻率進(jìn)行監(jiān)控[18],當(dāng)達(dá)到目標(biāo)頻率后就停止刻蝕,調(diào)整結(jié)束。

因?yàn)槭⒕д衽cπ回路之間用電容連接,離子束的正電荷無法流到GND而積聚在石英晶體諧振器晶片上,使石英晶片帶正電荷。其結(jié)果不僅會使頻率微調(diào)速度降低,而且使石英晶片不發(fā)振,無法對石英晶振的頻率進(jìn)行監(jiān)控和調(diào)整。為此,必須采用中和器對石英晶片上的正電荷進(jìn)行中和[19][20]。

在進(jìn)行SMD晶振離子刻蝕頻率調(diào)整時,離子束對一個制品進(jìn)行刻蝕所需的時間為1~2秒, 而等待的時間約2秒,等待時間包括對制品的搬送和頻率的測量時間。在等待時間中, 是將擋板關(guān)閉的。如果在這段時間內(nèi),離子槍繼續(xù)有離子束引|出,則0.5mm厚的不銹鋼擋板將很快被穿孔而報(bào)廢。為此,在等待時間內(nèi),必須停止離子槍的離子束引出。可以用高壓繼電器切斷離子槍的各電源,除保留離子槍的放電電源(可維持離子槍的放電穩(wěn)定)。這樣,在等待時間沒有離子束的刻蝕,使擋板的使用壽命大大增長。同是,出于高壓繼電器的動作速度很快,動作時間比機(jī)械式擋板的動作時間少很多,所以調(diào)整精度也可得到提高。

離子束電流密度：

在圖4-1中,為了提高操作性,簡化自動化過程中的參數(shù)設(shè)定,只對beam電壓和放電電流進(jìn)行控制,而放電電壓和Ar流量保持不變,加速電壓取beam電壓的20%。

圖4-2表示的是在不同的beam電壓下,隨著放電電流的變化,進(jìn)口晶振的電極膜處(與離子槍加速鉬片的距離為25mm)所測得的電流密度。從圖中可以知道,對于不同的beam電壓,放電電流變化時,都有相對應(yīng)的放電電流使得電流密度達(dá)到最大。本文說所的離子刻蝕頻率微調(diào)就是采用了各不同beam電壓時的最大電流密度進(jìn)行的。當(dāng)設(shè)定好調(diào)整速度后,根據(jù)計(jì)算決定beam電壓,然后根據(jù)該電壓下最大的電流密度計(jì)算出放電電流。

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